SCT4036KW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4036KW7TL
SCT4036KW7TL

제조업체:

설명:
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC

데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 690

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포장:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩23,462.2 ₩23,462
₩18,834 ₩188,340
₩16,498 ₩1,649,800
전체 릴(1000의 배수로 주문)
₩16,016.2 ₩16,016,200
2,000 견적
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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ROHM Semiconductor
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
40 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
91 nC
+ 175 C
150 W
Enhancement
브랜드: ROHM Semiconductor
규정 준수: Done
구성: Single
하강 시간: 9.6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 11 S
포장: Reel
포장: Cut Tape
포장: MouseReel
제품: MOSFET's
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 15 ns
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
기술: SiC
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 29 ns
표준 턴-온 지연 시간: 8.1 ns
부품번호 별칭: SCT4036KW7
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속성 선택됨: 0

데이터시트

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

4세대 N채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor 4세대 N-채널 SiC(실리콘 카바이드) 전력 MOSFET은 단락 저항 시간을 개선하여 낮은 온 저항을 제공합니다. 4세대 SiC MOSFET은 병렬 연결이 용이하고 구동이 간단합니다. 이 MOSFET은 빠른 스위칭 속도/역방향 회복, 낮은 스위칭 손실, +175°C의 최대 작동 온도가 특징입니다. ROHM의 4세대 N-채널 SSiC 전력 MOSFET은 장치의 전력 절감에 기여하는 15V 게이트-소스 전압을 지원합니다.

SCT4036KW7 N-채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4036KW7 N-채널 SiC 전력 MOSFET은 1,200V, 36mΩ MOSFET이며 TO-263-7L 패키지로 제공됩니다. SCT4036KW7은 간편하게 구동할 수 있으며 빠른 역방향 회복으로 쉽게 병렬 연결할 수 있습니다. SCT4036KW7은 태양광 인버터, 유도 가열 및 모터 드라이브에 이상적입니다.

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