MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

이산 반도체의 유형

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4