MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

이산 반도체의 유형

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STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
2,000예상 2027-02-12
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
1,988예상 2027-05-21
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p 860재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 113재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 916재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 903재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 127재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead 68재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
1,000예상 2027-02-05
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
932예상 2027-03-19
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package 1,813재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag 비재고 리드 타임 26 주
최소: 600
배수: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.389 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8