MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

이산 반도체의 유형

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STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 602재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 903재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET 모듈 N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
800주문 중
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 686재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package 370재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packa 643재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
995주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1,200예상 2026-04-13
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배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p 879재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 183재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 936재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2 255재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 127재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead 83재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3