NTBG060N065SC1

Name: onsemi NTBG060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG060N065SC1
Price: 16746 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NTBG060N065SC1

제조업체 번호:

NTBG060N065SC1

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

데이터시트:

NTBG060N065SC1 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	46 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	70 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.3 V
Qg - 게이트 전하:	74 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	170 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	12 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	14 ns
시리즈:	NTBG060N065SC1
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	24 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns

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NTBG060N065SC1 데이터시트

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 R_DS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.

650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

열 펌프

열 펌프는 안전하고 지속 가능한 난방을 위한 세계적인 변화의 기초 역할을 하며 낮은 방출 전기를 활용하여 안정적인 따뜻함을 제공합니다. 주요 기능은 난방이지만 혁신적인 역방향 사이클 모델은 냉각 기능도 제공합니다. 또한, 폐열을 효율적으로 회수하고 온도를 실제 수준으로 높여 이 열 펌프는 에너지 절약에 대한 엄청난 잠재력을 가지고 있습니다. 기업들이 저탄소 배출 미래로 전환함에 따라 보다 효율적인 전력 반도체에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 이를 추구하려면 비용, 설치 공간 및 효율성의 균형을 맞추는 것이 가장 중요합니다. onsemi IPM(지능형 전력 모듈)은 열 펌프 시장 에서 주목할 만한 솔루션으로 나타나며 콤팩트한 설계, 고전력 밀도 및 고급 제어 기능을 제공합니다.

NTBG060N065SC1 44mohm 탄화 규소 MOSFET

Onsemi NTBG060N065SC1 44mohm 탄화 규소 MOSFET은 D2PAK-7L 패키지에 들어있으며 빠르고 견고하도록 설계되었습니다. onsemi NTBG060N065SC1 장치는 10배 더 높은 절연 파괴 전계 강도와 2배 더 높은 전자 포화 속도를 제공합니다. 이 MOSFET은 또한 3배 더 높은 에너지 밴드 갭과 3배 더 높은 열 전도성을 제공합니다. 모든 Onsemi SiC MOSFET에는 자동차와 산업용 애플리케이션을 위해 특별히 설계되고 인증된 AEC-Q101 인증 및 PPAP 가능 옵션이 포함되어 있습니다.