QPD GaN RF 트랜지스터

Qorvo QPD GaN RF 트랜지스터는 매크로셀 고효율 시스템용 기지국 전력 증폭기의 최종단을 위해 도허티 아키텍처에서 사용할 수 잇습니다. 이러한 GaN 트랜지스터는 단상 정합된 전력 증폭기 트랜지스터를 갖춘 SiC HEMT 측 이산 GaN입니다. 일반적으로 W-CDMA/LTE, 매크로셀 기지국, 능동 안테나 및 범용 애플리케이션에 사용됩니다.

결과: 34
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
Qorvo GaN FET DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
데이터시트
375재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT NI-200 N-Channel 650 mA 12.5 W
Qorvo GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V
데이터시트
17재고 상태
100예상 2026-08-18
최소: 1
배수: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

NI-650 N-Channel
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
데이터시트
48재고 상태
최소: 1
배수: 1

NI-200
Qorvo GaN FET 0.03-4.0 GHz, 30W, 32V GaN RF Tr
데이터시트
29재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-20 32 V 1.8 A
Qorvo GaN FET DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flangeless
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
데이터시트
48재고 상태
50예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 400 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 13.5 W
Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN
데이터시트
123재고 상태
최소: 1
배수: 1

NI-200
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 100W 28V GaN
데이터시트
65재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 28 V 12 A - 7 V, + 2 V - 2.9 V - 40 C + 85 C 144 W
Qorvo GaN FET DC-4GHz 45W GaN 48V
데이터시트
217재고 상태
250예상 2026-09-29
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W
Qorvo GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
데이터시트
29재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FET 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
데이터시트
96재고 상태
700예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W
Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
데이터시트
75예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

Screw Mount NI-360 N-Channel 50 V 2.5 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 64 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
데이터시트
1,550예상 2026-08-19
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo GaN FET .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
데이터시트
355예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-EP-16 N-Channel 32 V 557 mA 15.3 W
Qorvo GaN FET DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
데이터시트
19예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT NI-360 N-Channel 50 V 4 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 127 W
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
데이터시트
제품 코멘트
100예상 2026-08-03
최소: 100
배수: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
데이터시트
제품 코멘트
50예상 2026-08-28
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
데이터시트
제품 코멘트
100예상 2026-08-03
최소: 50
배수: 50

SMD/SMT Die N-Channel 32 V 1.7 A - 65 C + 150 C 34.5 W
Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
데이터시트
25예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W
Qorvo GaN FET 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
데이터시트
40예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT QFN-16 32 V 250 mA - 40 C + 85 C
Qorvo GaN FET 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 18
배수: 18

SMD/SMT RF-565 N-Channel 50 V 15 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 370 W
Qorvo GaN FET DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100
: 100

SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1.7 A - 40 C + 85 C 67 W