SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC 트렌치 타입 7핀 MOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC 트렌치 타입 7핀 MOSFET은 고유한 트렌치 게이트 구조를 활용하여 온 상태 저항을 50% 줄이고 입력 정전용량을 평면형 SiC MOSFET보다 35%까지 줄입니다. MOSFET에는 드라이버와 전원 공급 핀을 분리하는 추가 핀이 포함되어 있어 Vgs를 줄이는데 인덕턴스 구성 요소의 영향을 제거하여 더 빠른 스위칭 속도를 보장합니다. ROHM Semiconductor 트렌치 타입 MOSFET은 높은 전압 저항, 낮은 온 상태 저항, 빠른 스위칭 속도, 간편한 구동 및 간편한 병렬 연결이 특징입니다.

결과: 8
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1,757재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-263-7L 500재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC 978재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L 2,773재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 399재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L 1,926재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 80mO 3rd Gen TO-263-7L 855재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 105mO 3rd Gen TO-263-7L 766재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement