결과: 18
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 7,053재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 919재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 203 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,027재고 상태
3,600예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,678재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 222 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 70 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,174재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,215재고 상태
5,000예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5,443재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4,914재고 상태
10,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5,584재고 상태
4,800예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 6,804재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 85 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 11,892재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5,186재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 6,870재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 402재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 120 V 167 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,493재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5재고 상태
5,000예상 2026-10-15
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 비재고 리드 타임 17 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 138 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement Reel
Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 비재고 리드 타임 17 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si Reel