SCT4062KWAHRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT4062KWAHRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4062KWAHRTL
Price: 16571 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-SCT4062KWAHRTL

제조업체 번호:

SCT4062KWAHRTL

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

SiC MOSFET TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

데이터시트:

SCT4062KWAHRTL 데이터시트

ECAD 모델:

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₩-

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전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩16,571	₩16,571
	₩11,753	₩117,530
	₩9,986.4	₩998,640
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩8,468	₩8,468,000
	₩8,190.6	₩16,381,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7LA
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	24 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	81 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
Qg - 게이트 전하:	64 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	93 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	6.5 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품:	MOSFET's
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	11 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	22 ns
표준 턴-온 지연 시간:	4.4 ns

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문서 필터:

데이터시트

SCT4062KWAHRTL 데이터시트

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SCT4062KWAHRAEC-Q101N-채널 SiC 전력 MOSFET

로옴 세미컨덕터 SCT4062KWAHRAEC-Q101N채널 실리콘 카바이드(SiC) 파워 MOSFET은 까다로운 자동차 환경에서 사용하기 위한 고성능 오토모티브 등급 디바이스입니다. ROHM Semiconductor SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-채널 실리콘 카바이드 (SiC) 파워 MOSFET은 까다로운 자동차 환경에서 사용하도록 설계된 고성능 자동차 등급 소자입니다.° 62mΩ의 낮은 온저항을 가진 SCT4062KWAHR은 도통 손실을 최소화하고 고속 스위칭을 지원하여 전력 손실을 줄이고 열 성능을 향상시킵니다. TO-263-7LA형식으로 패키징된 이 장치는 열 방출이 뛰어나고 소형 전력 모듈에 쉽게 통합할 수 있습니다. SCT4062KWAHR은 신뢰성, 효율, 열 안정성이 특히 중요한 전기차 (EV) 의 트랙션 인버터, 온보드 차저 (OBC), DC-DC 컨버터 등에 적합합니다.

4세대 N채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor 4세대 N-채널 SiC(실리콘 카바이드) 전력 MOSFET은 단락 저항 시간을 개선하여 낮은 온 저항을 제공합니다. 4세대 SiC MOSFET은 병렬 연결이 용이하고 구동이 간단합니다. 이 MOSFET은 빠른 스위칭 속도/역방향 회복, 낮은 스위칭 손실, +175°C의 최대 작동 온도가 특징입니다. ROHM의 4세대 N-채널 SSiC 전력 MOSFET은 장치의 전력 절감에 기여하는 15V 게이트-소스 전압을 지원합니다.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.