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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
데이터시트
40,949재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
3,993재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
데이터시트
2,289재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3
데이터시트
129재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
873재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
데이터시트
1,363재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
데이터시트
569재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
데이터시트
2,000재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
데이터시트
1,582재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_LEGACY
데이터시트
3,838재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
529재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
137재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
데이터시트
416재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
데이터시트
42재고 상태
500예상 2026-04-02
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
42재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
23재고 상태
2,500예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
데이터시트
60재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
데이터시트
31재고 상태
240예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
데이터시트
235재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
데이터시트
276재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
70재고 상태
500예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
348재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
데이터시트
508재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
데이터시트
387예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube