1,200V E4MS 이산형 SiC MOSFET

Wolfspeed 1,200V E4MS 이산형 SiC(탄화 규소) MOSFET은 이산형 내장형 자동차 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공합니다. E4MS 제품군은 최소한의 오버 슈트 및 공명으로 빠른 스위칭을 가능하게 하는 빠르고 부드러운 바디 다이오드를 사용하여, 엔지니어가 애플리케이션에서 성능을 조정하고 최적화할 수 있도록 사용 가능한 설계 공간을 확장합니다. E4MS 제품군은 낮은 RDS(on) 온도 계수를 유지하는 동시에 E3M 제품군에 비해 향상된 E온, ERR, E오프 손실을 제공합니다. 이러한 균형잡힌 접근 방식은 광범위한 보드 내장형 토폴로지에서 최대의 성능과 효율을 제공합니다.

결과: 12
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 25mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 77 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 82 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 55 C + 175 C 350 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TO-263-7 XL T&R , Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 36mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET,36mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800
SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 55 C + 175 C 274 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 186 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 47mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 61 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 68 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 800
배수: 800
릴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65mohm, 1200V, TSC (U2), Automotive, Gen4
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 85 mOhms - 10 V, 23 V 3.9 V 51 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101