12~250V P-채널 전력 MOSFET

Infineon 12~250V P-채널 전력 MOSFET은 성능을 최적화함과 동시에 회로를 간소화할 수 있는 새로운 옵션을 설계자에게 제공합니다. P-채널 장치의 주요 이점은 중간 전력 및 저전력 애플리케이션에서 설계 복잡성이 감소된다는 점입니다. P-채널 전력 MOSFET은 배터리 보호, 역극성 보호, 선형 배터리 충전기, 부하 전환, DC-DC 컨버터, 저전압 드라이브 애플리케이션에 매우 적합합니다.

결과: 27
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 32,950재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 35 A 38 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 63 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET P-CHANNEL (NEGATIVE) 12,618재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 60 V 3.44 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 4,616재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.7 A 186 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2,983재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 22 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 59 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 5,400재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 9 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,241재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 16.4 A 90 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.8 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 25,486재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 290 mA 5.5 Ohms 20 V 2 V 290 pC - 55 C + 150 C 960 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2,417재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 260 mOhms 20 V 4 V 10.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 2,462재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 3.2 A 250 mOhms 20 V 2 V 6.7 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET Small Signal MOSFET, -60 V 9,028재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 60 V 550 mA 1.7 Ohms 20 V 2 V 870 pC - 55 C + 150 C 1.04 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1,643재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3.9 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 337재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 6.4 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET P-Channel 812재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 60 V 100 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 281 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,202재고 상태
1,000예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 41 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 224 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 5,821재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 20.2 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 807재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 974재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole P-Channel 1 Channel 100 V 62 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 3,935재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 150 V 1.29 A 1.38 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 11.6 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 792재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 13.9 A 178 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 2,041재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 10.6 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1,769재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 22 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1,606재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 3.9 A 160 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 8,052재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 1.1 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 4 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS 1,145재고 상태
3,000예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT P-Channel 1 Channel 100 V 1.55 A 980 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 7.2 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel