SyncBurst SRAMs

GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst™) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. GSI Technology SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive, and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.

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공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
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장착 스타일
패키지/케이스
포장
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
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60재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 32 16M
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18재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
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6재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
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18재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 195 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
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9재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
데이터시트
13재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
31재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 2.3 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
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116재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
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32재고 상태
최소: 1
배수: 1
18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
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12재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 180 mA, 190 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
데이터시트
38재고 상태
최소: 1
배수: 1
9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
13재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA 0 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
39재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 32 8M
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 32 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
54재고 상태
최소: 1
배수: 1
4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
데이터시트
139재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
36재고 상태
최소: 1
배수: 1
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 2 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 235 mA, 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
4재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1
144 Mbit 4 M x 36 8 ns Parallel 3.6 V 2.3 V 375 mA, 430 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M
데이터시트
70재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 150 mA, 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray