CoolSiC™ 750V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 탄화규소 MOSFET은 유니 폴라게이트 구동용으로 기생 턴온에 대한 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET은 토템 폴, ANPC, 비엔나 정류기, FCC 하드 스위칭 토폴로지에서 우수한 성능 을 제공합니다. MOSFET은 출력 정전용량(Coss)이 감소하여 CYCLO컨버터, CLLC, DAB, LLC 소프트 스위칭 토폴로지에서 더 높은 스위칭 주파수에서 작동할 수 있습니다. CoolSiC™ 750V G2 MOSFET은 향상된 게이트 제어를 통해 최대 78mΩ의 드레인 소스온 저항 및 스위칭 손실이 특징입니다. 이 MOSFET은 자동차 인증과 산업용 인증을 받았습니다. 일반적으로 EV 충전 인프라, 전기 통신, 회로 차단기, 솔리드 스테이트 계전기, 태양광 PV 인버터, HV‑LV DC-DC 컨버터에 사용됩니다.

결과: 30
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 348재고 상태
240예상 2027-05-31
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 80 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 436재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 264재고 상태
750예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 122재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 148재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 16 m 35재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 93 A 32 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 74 nC - 55 C + 175 C 318 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 114재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 11 m 28재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 129 A 22 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 128재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m 35재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 79 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 282 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 144재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 80재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 149재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 198 A 9 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 1,174재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 34 A 65 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 443재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 483 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 475재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 85 A 20 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 500재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 481재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 65.6 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 490재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 104 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 500재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 124 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,283재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 554재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 70 A 31 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 272 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 1,215재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 30 A 78 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 748재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 103 A 20 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 74 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement CoolSiC