CoolSiC™ 자동차용 1700V MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 1700V MOSFET은 보조 전원장치 및 DC-DC 컨버터의 플라이백 토폴로지를 지원합니다. 이 장치는 25°C에서 7.4~15A, 100°C에서 5.6~10.5A 사이의 Rth(j-c,max)에 대한 연속 DC 드레인 전류(IDDC)를 제공합니다. Infineon Technologies의 SiC 트렌치 MOSFET 기술은 0V/20V 게이트-소스 전압 구동을 지원하여, 대부분의자동차 애플리케이션용 플라이백 컨트롤러와 호환됩니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
데이터시트
525재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 752 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 14 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
데이터시트
750주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 15 A 340 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive CoolSiC MOSFET 1700 V in D2PAK
데이터시트
750주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT PG-TO263-7-U01 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 11.2 A 485 mOhms - 10 V, + 23 V 5.7 V 17.5 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement