Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

결과: 33
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 960재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-28 Tray
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 3,799재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Tray
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM 148재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Tray
Alliance Memory SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Reel 1,437재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel, Cut Tape
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4096k x 16 272재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 437재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 313재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 1,269재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM 445재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 CMOS SRAM 539재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT 226재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 314재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 114재고 상태
1,000예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
: 1,000

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM 270재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM 25재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32 Reel
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M 512Kx8 70ns 2.7-5.5V Asynch AT 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 70 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Reel