결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
데이터시트
304재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
데이터시트
366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
데이터시트
758재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC