NTHL022N120M3S SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi NTHL022N120M3S SiC(탄화 규소) MOSFET은 빠른 스위칭 애플리케이션에 맞게 최적화된 1,200V M3S 평면 SiC MOSFET 제품군입니다. onsemi NTHL022N120M3S는 네거티브 게이트 전압 드라이브와 함께 안정적으로 작동하고 게이트에서 스파이크를 차단하는 평면 기술이 특징입니다. 이 MOSFET은 18V 게이트 드라이브로 구동 시 최적의 성능을 발휘하는 것이 특징이지만 15V 게이트 드라이브와 잘 작동합니다.

결과: 3
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
데이터시트
323재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
데이터시트
682재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
데이터시트
590재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC