RN 자동차 바이어스 저항기 내장 트랜지스터

Toshiba RN 자동차 바이어스 저항 내장 트랜지스터(BRT)는 AEC-Q101 인증을 받았으며 스위칭, 인버터 회로, 인터페이스 및 드라이버 회로 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 바이어스 저항이 통합되어 필요한 외부 부품 수를 줄이고 시스템 크기와 조립 시간을 줄입니다. Toshiba RN 자동차 바이어스 저항기 BRT는 다양한 회로 설계에 맞게 조정할 수 있는 넓은 저항 범위를 제공합니다.

모든 결과 (163)

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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2,873재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5,850재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7,383재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 7,254재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 6,190재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5,892재고 상태
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: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6,676재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323 14,335재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 6,017재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 14,778재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3,510재고 상태
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Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8,550재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,638재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 6,420재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,962재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1,154재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 3,829재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7,757재고 상태
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5,372재고 상태
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: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4,630재고 상태
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: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5,805재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 5,442재고 상태
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: 8,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15,409재고 상태
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: 8,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 2,566재고 상태
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Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15,327재고 상태
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배수: 1
: 8,000