RN 자동차 바이어스 저항기 내장 트랜지스터

Toshiba RN 자동차 바이어스 저항 내장 트랜지스터(BRT)는 AEC-Q101 인증을 받았으며 스위칭, 인버터 회로, 인터페이스 및 드라이버 회로 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 바이어스 저항이 통합되어 필요한 외부 부품 수를 줄이고 시스템 크기와 조립 시간을 줄입니다. Toshiba RN 자동차 바이어스 저항기 BRT는 다양한 회로 설계에 맞게 조정할 수 있는 넓은 저항 범위를 제공합니다.

모든 결과 (163)

아래 카테고리 중 하나를 선택하시면 필터링 옵션을 보실 수 있으며 범위를 좁혀 검색하실 수 있습니다.
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 8,229재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 7,177재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5,850재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7,483재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 8,330재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7,007재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2,874재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5,892재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6,676재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 1,515재고 상태
6,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3,830재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8,830재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,658재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2,420재고 상태
6,000예상 2026-05-18
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5,962재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1,254재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4,629재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7,757재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4,740재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 2,145재고 상태
8,000예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1
: 8,000