RN 자동차 바이어스 저항기 내장 트랜지스터

Toshiba RN 자동차 바이어스 저항 내장 트랜지스터(BRT)는 AEC-Q101 인증을 받았으며 스위칭, 인버터 회로, 인터페이스 및 드라이버 회로 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 바이어스 저항이 통합되어 필요한 외부 부품 수를 줄이고 시스템 크기와 조립 시간을 줄입니다. Toshiba RN 자동차 바이어스 저항기 BRT는 다양한 회로 설계에 맞게 조정할 수 있는 넓은 저항 범위를 제공합니다.

모든 결과 (163)

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 34,280재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,983재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,900재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2,715재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,985재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 1,948재고 상태
6,000예상 2026-10-20
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5,980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5,992재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,762재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5,757재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4,724재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6,250재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5,644재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7,700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F 5,109재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 6,484재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 6,235재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 11,116재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5,779재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7,689재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000