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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
IXYS MOSFET TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1.5 kV 1.83 A 7.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 73 W Tube
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 4A N-CH HIVOLT
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 300
배수: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 40 W Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET 24 Amps 1000V
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 267 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 2 A 7 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 13 Amps 800V
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 800 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 30
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 350 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 300
배수: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 40 A 85 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 5 Amps 1000V 2 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 5 A 2 Ohms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 67 Amps 100V 0.025 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 30
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67 A 25 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 300
배수: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 300
배수: 300

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 33 A 170 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
데이터시트
비재고 리드 타임 38 주
최소: 300
배수: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds
데이터시트
재고 없음
최소: 30
배수: 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 20 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube