|
|
MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTA3N120HV
- IXYS
-
1:
₩12,468.4
-
418재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N120HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
418재고 상태
|
|
|
₩12,468.4
|
|
|
₩6,832.8
|
|
|
₩6,672.2
|
|
|
₩5,971.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- IXTH6N120
- IXYS
-
1:
₩16,702.4
-
193재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH6N120
|
IXYS
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
|
|
193재고 상태
|
|
|
₩16,702.4
|
|
|
₩12,731.2
|
|
|
₩11,154.4
|
|
|
₩10,950
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
6 A
|
2.4 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTJ4N150
- IXYS
-
1:
₩19,593.2
-
272재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTJ4N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
272재고 상태
|
|
|
₩19,593.2
|
|
|
₩11,869.8
|
|
|
₩10,190.8
|
|
|
₩9,855
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
2.5 A
|
6 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
5 V
|
44.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- IXTT6N120
- IXYS
-
1:
₩21,199.2
-
274재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT6N120
|
IXYS
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
|
|
274재고 상태
|
|
|
₩21,199.2
|
|
|
₩12,848
|
|
|
₩11,154.4
|
|
|
₩10,950
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
6 A
|
2.6 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
- IXTT12N150HV
- IXYS
-
1:
₩81,088.4
-
282재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT12N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
|
|
282재고 상태
|
|
|
₩81,088.4
|
|
|
₩59,246.8
|
|
|
₩59,232.2
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
12 A
|
2.2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTH4N150
- IXYS
-
1:
₩15,300.8
-
240재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH4N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
240재고 상태
|
|
|
₩15,300.8
|
|
|
₩10,701.8
|
|
|
₩7,548.2
|
|
|
₩7,256.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
4 A
|
6 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
44.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
- IXTH3N120
- IXYS
-
1:
₩14,191.2
-
257재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH3N120
|
IXYS
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
|
|
257재고 상태
|
|
|
₩14,191.2
|
|
|
₩10,760.2
|
|
|
₩6,774.4
|
|
|
₩6,511.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
- IXTX20N150
- IXYS
-
1:
₩38,894.4
-
347재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTX20N150
|
IXYS
|
MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
|
|
347재고 상태
|
|
|
₩38,894.4
|
|
|
₩28,645.2
|
|
|
₩27,710.8
|
|
|
보기
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
20 A
|
1 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
215 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.25 kW
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
- IXTA4N150HV
- IXYS
-
1:
₩20,264.8
-
194재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA4N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
|
|
194재고 상태
|
|
|
₩20,264.8
|
|
|
₩13,636.4
|
|
|
₩12,643.6
|
|
|
₩10,030.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
4 A
|
6 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
375 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1
- IXFH16N120P
- IXYS
-
1:
₩30,090.6
-
280재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFH16N120P
|
IXYS
|
MOSFET 1
|
|
280재고 상태
|
|
|
₩30,090.6
|
|
|
₩19,359.6
|
|
|
₩17,622.2
|
|
|
₩17,607.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
16 A
|
950 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3.5 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
660 W
|
Enhancement
|
HiPerFET
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTA05N100HV
- IXYS
-
1:
₩7,314.6
-
3,373재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA05N100HV
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
3,373재고 상태
|
|
|
₩7,314.6
|
|
|
₩5,854.6
|
|
|
₩4,730.4
|
|
|
₩4,204.8
|
|
|
₩3,606.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
- IXTA3N120
- IXYS
-
1:
₩12,380.8
-
1,690재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N120
|
IXYS
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
|
|
1,690재고 상태
|
|
|
₩12,380.8
|
|
|
₩7,708.8
|
|
|
₩7,095.6
|
|
|
₩6,394.8
|
|
|
₩6,161.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
- IXTP3N120
- IXYS
-
1:
₩12,848
-
961재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP3N120
|
IXYS
|
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
|
|
961재고 상태
|
|
|
₩12,848
|
|
|
₩7,343.8
|
|
|
₩6,949.6
|
|
|
₩6,161.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
- IXTT12N150
- IXYS
-
1:
₩26,411.4
-
317재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT12N150
|
IXYS
|
MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
|
|
317재고 상태
|
|
|
₩26,411.4
|
|
|
₩16,425
|
|
|
₩14,673
|
|
|
₩14,366.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
12 A
|
2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTA3N150HV
- IXYS
-
1:
₩19,009.2
-
74재고 상태
-
300예상 2026-10-26
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
74재고 상태
300예상 2026-10-26
|
|
|
₩19,009.2
|
|
|
₩10,804
|
|
|
₩9,825.8
|
|
|
₩9,417
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
7.3 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
38.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTH3N150
- IXYS
-
1:
₩20,075
-
55재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH3N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
55재고 상태
|
|
|
₩20,075
|
|
|
₩12,862.6
|
|
|
₩12,672.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
7.3 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
38.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
- IXTP05N100
- IXYS
-
1:
₩5,854.6
-
550재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP05N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
|
|
550재고 상태
|
|
|
₩5,854.6
|
|
|
₩2,978.4
|
|
|
₩2,701
|
|
|
₩2,219.2
|
|
|
₩1,927.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.5 Amps 1000V
- IXTP05N100M
- IXYS
-
1:
₩7,548.2
-
300재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP05N100M
|
IXYS
|
MOSFET 0.5 Amps 1000V
|
|
300재고 상태
|
|
|
₩7,548.2
|
|
|
₩4,613.6
|
|
|
₩3,942
|
|
|
₩2,890.8
|
|
|
₩2,832.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
700 mA
|
15 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
- IXTY01N100
- IXYS
-
1:
₩5,183
-
320재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTY01N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
|
|
320재고 상태
|
|
|
₩5,183
|
|
|
₩2,496.6
|
|
|
₩2,248.4
|
|
|
₩1,898
|
|
|
₩1,679
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
100 mA
|
80 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
- IXTH12N150
- IXYS
-
1:
₩26,323.8
-
300예상 2026-05-08
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH12N150
|
IXYS
|
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
|
|
300예상 2026-05-08
|
|
|
₩26,323.8
|
|
|
₩18,191.6
|
|
|
₩16,089.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
12 A
|
2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
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Tube
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|
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MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
- IXTA05N100
- IXYS
-
300:
₩3,693.8
-
800구매 가능한 공장 재고품
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA05N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
|
|
800구매 가능한 공장 재고품
|
|
|
₩3,693.8
|
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₩3,591.6
|
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최소: 300
배수: 50
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
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750 mA
|
17 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
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|
Tube
|
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MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
- IXTH6N150
- IXYS
-
1:
₩19,593.2
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH6N150
|
IXYS
|
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩19,593.2
|
|
|
₩11,869.8
|
|
|
₩11,271.2
|
|
최소: 1
배수: 1
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|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
6 A
|
3.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
540 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTJ6N150
- IXYS
-
300:
₩14,132.8
-
비재고 리드 타임 65 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTJ6N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 65 주
|
|
최소: 300
배수: 30
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
3.85 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
- IXTK20N150
- IXYS
-
300:
₩59,480.4
-
비재고 리드 타임 49 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTK20N150
|
IXYS
|
MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 49 주
|
|
최소: 300
배수: 25
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
|
1.5 kV
|
20 A
|
1 Ohms
|
|
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|
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|
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|
|
Tube
|
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|
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
- IXTP2N80
- IXYS
-
50:
₩3,752.2
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP2N80
|
IXYS
|
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
|
|
재고 없음
|
|
|
₩3,752.2
|
|
|
₩2,759.4
|
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|
₩2,452.8
|
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|
₩2,087.8
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|
보기
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₩2,014.8
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₩1,971
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
2 A
|
6.2 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
54 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
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