|
|
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
- IXTH12N150
- IXYS
-
1:
₩32,908
-
290재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH12N150
|
IXYS
|
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
|
|
290재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
12 A
|
2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTA3N120HV
- IXYS
-
1:
₩16,552.8
-
374재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N120HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
374재고 상태
|
|
|
₩16,552.8
|
|
|
₩9,211.2
|
|
|
₩8,390.4
|
|
|
₩8,299.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
- IXTA4N150HV
- IXYS
-
1:
₩24,639.2
-
183재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA4N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT
|
|
183재고 상태
|
|
|
₩24,639.2
|
|
|
₩14,257.6
|
|
|
₩13,938.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
4 A
|
6 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
375 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTJ4N150
- IXYS
-
1:
₩24,304.8
-
248재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTJ4N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
248재고 상태
|
|
|
₩24,304.8
|
|
|
₩14,896
|
|
|
₩14,014.4
|
|
|
₩13,695.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
2.5 A
|
6 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
5 V
|
44.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
- IXTH3N120
- IXYS
-
1:
₩17,799.2
-
1재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH3N120
|
IXYS
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
|
|
1재고 상태
|
|
|
₩17,799.2
|
|
|
₩12,874.4
|
|
|
₩9,484.8
|
|
|
₩9,059.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- IXTT6N120
- IXYS
-
1:
₩26,356.8
-
274재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT6N120
|
IXYS
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
|
|
274재고 상태
|
|
|
₩26,356.8
|
|
|
₩16,264
|
|
|
₩15,215.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
6 A
|
2.6 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTH4N150
- IXYS
-
1:
₩19,258.4
-
215재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH4N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
215재고 상태
|
|
|
₩19,258.4
|
|
|
₩14,348.8
|
|
|
₩10,883.2
|
|
|
₩10,184
|
|
|
₩10,092.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
4 A
|
6 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
44.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
- IXTP05N100
- IXYS
-
1:
₩7,083.2
-
550재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP05N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
|
|
550재고 상태
|
|
|
₩7,083.2
|
|
|
₩3,648
|
|
|
₩3,176.8
|
|
|
₩2,705.6
|
|
|
₩2,690.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.5 Amps 1000V
- IXTP05N100M
- IXYS
-
1:
₩9,135.2
-
300재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP05N100M
|
IXYS
|
MOSFET 0.5 Amps 1000V
|
|
300재고 상태
|
|
|
₩9,135.2
|
|
|
₩4,803.2
|
|
|
₩4,256
|
|
|
₩3,784.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
700 mA
|
15 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
- IXTT12N150HV
- IXYS
-
1:
₩101,277.6
-
263재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT12N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT
|
|
263재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
12 A
|
2.2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1
- IXFH16N120P
- IXYS
-
1:
₩39,352.8
-
158재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXFH16N120P
|
IXYS
|
MOSFET 1
|
|
158재고 상태
|
|
|
₩39,352.8
|
|
|
₩31,509.6
|
|
|
₩27,238.4
|
|
|
₩24,441.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
16 A
|
950 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3.5 V
|
120 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
660 W
|
Enhancement
|
HiPerFET
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTA05N100HV
- IXYS
-
1:
₩10,472.8
-
2,248재고 상태
-
50예상 2026-11-13
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA05N100HV
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
2,248재고 상태
50예상 2026-11-13
|
|
|
₩10,472.8
|
|
|
₩5,578.4
|
|
|
₩5,092
|
|
|
₩5,031.2
|
|
|
₩4,529.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
- IXTA3N120
- IXYS
-
1:
₩15,352
-
871재고 상태
-
1,100예상 2026-07-21
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N120
|
IXYS
|
MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
|
|
871재고 상태
1,100예상 2026-07-21
|
|
|
₩15,352
|
|
|
₩9,393.6
|
|
|
₩8,709.6
|
|
|
₩8,572.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
- IXTP3N120
- IXYS
-
1:
₩16,112
-
805재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP3N120
|
IXYS
|
MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
|
|
805재고 상태
|
|
|
₩16,112
|
|
|
₩9,454.4
|
|
|
₩8,709.6
|
|
|
₩8,572.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
3 A
|
4.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTH3N150
- IXYS
-
1:
₩26,615.2
-
55재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH3N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
55재고 상태
|
|
|
₩26,615.2
|
|
|
₩16,431.2
|
|
|
₩15,397.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
7.3 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
38.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
- IXTH6N120
- IXYS
-
1:
₩26,356.8
-
113재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH6N120
|
IXYS
|
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
|
|
113재고 상태
|
|
|
₩26,356.8
|
|
|
₩16,264
|
|
|
₩15,215.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
6 A
|
2.4 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
- IXTT12N150
- IXYS
-
1:
₩30,156.8
-
10재고 상태
-
300예상 2026-06-29
|
Mouser 부품 번호
747-IXTT12N150
|
IXYS
|
MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET
|
|
10재고 상태
300예상 2026-06-29
|
|
|
₩30,156.8
|
|
|
₩20,185.6
|
|
|
₩19,623.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3 (TO-268-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
12 A
|
2 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
106 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
890 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
- IXTX20N150
- IXYS
-
1:
₩51,740.8
-
47재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTX20N150
|
IXYS
|
MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET
|
|
47재고 상태
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
20 A
|
1 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
215 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.25 kW
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
- IXTY01N100
- IXYS
-
1:
₩5,928
-
300재고 상태
|
Mouser 부품 번호
747-IXTY01N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
|
|
300재고 상태
|
|
|
₩5,928
|
|
|
₩3,116
|
|
|
₩2,781.6
|
|
|
₩2,386.4
|
|
|
₩2,340.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
100 mA
|
80 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
- IXTA3N150HV
- IXYS
-
1:
₩23,104
-
224예상 2026-08-17
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA3N150HV
|
IXYS
|
MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
|
|
224예상 2026-08-17
|
|
|
₩23,104
|
|
|
₩14,242.4
|
|
|
₩12,828.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
7.3 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
38.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
- IXTA05N100
- IXYS
-
300:
₩5,092
-
800구매 가능한 공장 재고품
|
Mouser 부품 번호
747-IXTA05N100
|
IXYS
|
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
|
|
800구매 가능한 공장 재고품
|
|
최소: 300
배수: 50
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
750 mA
|
17 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
7.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
- IXTH6N150
- IXYS
-
1:
₩24,304.8
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTH6N150
|
IXYS
|
MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩24,304.8
|
|
|
₩14,896
|
|
|
₩13,695.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
6 A
|
3.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
540 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
- IXTJ6N150
- IXYS
-
300:
₩18,027.2
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTJ6N150
|
IXYS
|
MOSFET High Voltage Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
|
₩18,027.2
|
|
|
₩17,510.4
|
|
|
₩17,358.4
|
|
최소: 300
배수: 30
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.5 kV
|
3 A
|
3.85 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
- IXTK20N150
- IXYS
-
300:
₩72,580
-
비재고 리드 타임 24 주
|
Mouser 부품 번호
747-IXTK20N150
|
IXYS
|
MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET
|
|
비재고 리드 타임 24 주
|
|
최소: 300
배수: 25
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
|
1.5 kV
|
20 A
|
1 Ohms
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
- IXTP2N80
- IXYS
-
50:
₩4,180
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
747-IXTP2N80
|
IXYS
|
MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds
|
|
재고 없음
|
|
|
₩4,180
|
|
|
₩3,100.8
|
|
|
₩2,599.2
|
|
|
₩2,416.8
|
|
|
₩2,264.8
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
2 A
|
6.2 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
54 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|