512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM

ISSI 512Mbx8 및 256Mbx16 DDR4 SDRAM은 8 뱅크 설정으로 내부적으로 구성된 고속 동적 랜덤 액세스 메모리 장치입니다. 더블 데이터 속도 4 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리(DDR4 SDRAM) 뱅크는 각각 4개의 DRAM 뱅크가 있는 2개의 그룹으로 구성됩니다. DDR4 SDRAM은 8N 프리페치 아키텍처를 사용하여 고속 작동을 실현합니다. ISSI 4GB DDR4 SDRAM 장치는 최대 2,666Mbps의 고속 데이터 전송 속도를 제공하므로 전기통신 및 네트워킹, 자동차, 산업용 임베디드 컴퓨팅에 이상적입니다.

결과: 32
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s at 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-96 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2666MT/s at 19-19-19, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-78 Reel
ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 1Mx8, 2400MT/s at 17-17-17, 78 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
BGA-78 Reel