Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

트랜지스터의 유형

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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 7,862재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT BJT PNP -18A 180W 80 HFE -2V Trans 300재고 상태
200예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP -80V 10W 100MHz 200 hFE 2,070재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP -2.5A 1.5W 280 HFE -0.5V Trans 3,997재고 상태
10,250주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 PNP
Toshiba 디지털 트랜지스터 TRANS-SS PNP SOT23 45V 7,151재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Digital Transistors SMD/SMT SMD-3 PNP


Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 18A 35A 180W 160V 127재고 상태
300예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W 957재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-251-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS NPN SOT23 50V 13,010재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V 460재고 상태
1,600주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT 150mA 50V 6,948재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-353-5 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN VCE 0.4V IC 3A Tstg 1.0 VCEO 80V 162재고 상태
2,000예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT 150mA 50V 6,721재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-353-5 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP 230V 15A
1,656주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 2.5A 1.5W 280 HFE 0.5V Trans
15,288주문 중
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-126N-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V
5,844예상 2026-04-03
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PW-MINI PC=2.5W F=1MHZ 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES6-6 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT ES6 PLN 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES6-6 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Transistor -25V S-Mini -0.8A -0.4V 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 V=45V F=200MHZ 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA 재고 없음
최소: 9,000
배수: 3,000
: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 재고 없음
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN