Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

트랜지스터의 유형

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결과: 101
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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 145,503재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT CST-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor NPN 800V 5A 3,647재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-N-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V 105,861재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT SSM PLN TRANSISTOR, Pd=100mW, F=80MHz 259,024재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 3,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA 666재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 0.1A IC 120V Gen Purp Trans 17,177재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT S-MINI PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 8,292재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 463재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-416-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 273재고 상태
3,000예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 8,149재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT S-MINI PLN TRANSIST Pd=200mW F=200MHz 5,759재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS NPN SOT323 50V 6,264재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV 385재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SMV-5 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR 70,160재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 52,353재고 상태
87,000예상 2026-07-31
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W 2,701재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1,678재고 상태
2,125예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor Lo Freq 0.15A 50V 74,378재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 3,289재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor NPN 230V 15A 1,284재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V 8,152재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 3,975재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 3,066재고 상태
18,000예상 2026-07-03
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP