Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

트랜지스터의 유형

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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Epitaxial Transistor 21,125재고 상태
39,000예상 2026-03-27
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 9,287재고 상태
24,000예상 2026-05-14
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 6,212재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 6,247재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 36,829재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=80MHz 9,466재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 16,653재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS NPN SOT323 120V 4,994재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz 1,048재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 8,123재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-75-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V 3,421재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 9,118재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 5,194재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 20,592재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 7,385재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 6,173재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN, PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package 14,545재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7,607재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-363-6 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 7,572재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-26-6 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package 2,992재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A 536재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A 6,249재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT BJT NPN 0.15A 50V 24,317재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT BJT PNP -0.15A -50V 8,863재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 8,208재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN