양극성 트랜지스터 - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
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757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
양극성 트랜지스터 - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
리드 타임 21 주
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2SA1721OTE85LF
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양극성 트랜지스터 - BJT NSM PLN TRANSIST Pd=150mW F=1MHz
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세부 정보
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
PNP