Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

트랜지스터의 유형

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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min 리드 타임 21 주
최소: 1
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: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NSM PLN TRANSIST Pd=150mW F=1MHz 5,525재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; PC=1W; F=100KHZ 3,008재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT 2-3S1C-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI PD=2.5W F=1MHZ 2,556재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TSM PD=1W F=1MHZ 3,894재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT 2-3S1C-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI V=50 PD=1W F=1MHZ 2,658재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 11,563재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC 2,955재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A 4,620재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 NPN, PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Small Signal Amp 19,298재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A 5,759재고 상태
3,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-25-5 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR 19,720재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V 10,519재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 6,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 8,290재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V 7,103재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 1,391재고 상태
6,000예상 2026-03-13
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 6,829재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 8,563재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 17,667재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 226재고 상태
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400 1,200재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT 2-5K1A-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL V=230 PD=180W F=30MHZ 239재고 상태
200예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; PW-MOLD; PC=1W; F=100KHZ 1,691재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT 2-7J1A-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS PNP 3SMD 50V 5,997재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP