Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

트랜지스터의 유형

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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Epitaxial Transistor 104,916재고 상태
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ 1,985재고 상태
2,825예상 2027-01-15
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V 8,068재고 상태
최소: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR 18,940재고 상태
66,000예상 2026-09-04
최소: 1
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V 4,019재고 상태
12,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 3,975재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 14,936재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NSM PLN TRANSIST Pd=150mW F=1MHz 5,462재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ 271재고 상태
625예상 2026-08-31
최소: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400 1,096재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT 2-5K1A-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 PD=2.5W F=1MHZ 1,019재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans 8,373재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 38재고 상태
6,000예상 2026-10-16
최소: 1
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 8,619재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 65,747재고 상태
21,000예상 2026-08-31
최소: 1
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: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC 2,681재고 상태
최소: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole NPN

Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 8,838재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 17,490재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 9,924재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-563-6 NPN, PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W 757재고 상태
최소: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-251-3 NPN
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V 4,769재고 상태
9,000예상 2026-09-25
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 11,847재고 상태
2,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Bias Resistor Built-in transistor 7,963재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT Transistor for Low Freq. Amplification 16,566재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; MOQ=3000; PC=1W; F=100KHZ 2,688재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT 2-3S1C-3 PNP