650 V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi 650 V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET은 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 더 높은 신뢰성을 제공하는 기술을 사용합니다. 또한 낮은 온 상태 저항과 콤팩트한 칩 크기는 낮은 정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. 따라서 시스템의 이점으로는 최고 효율, 신속한 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다. onsemi TOLL 패키지는 Kelvin 소스 구성과 낮은 기생 소스 인덕턴스 덕분에 향상된 열 성능과 탁월한 스위칭 성능을 제공합니다. TOLL은 MSL 1(수분 민감도 수준 1)을 제공합니다.

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
데이터시트
440재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
데이터시트
427재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
데이터시트
439재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 102 A 17 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 135 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 71 A 23.5 mOhms - 10 V, 22.6 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 60MOHM WITH TOLL
데이터시트
1,983재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 170 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH TOLL
데이터시트
1,969재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22.6 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 170 C 139 W Enhancement EliteSiC