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NVBG080N120SC1

Name: onsemi NVBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG080N120SC1
Price: 16556 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NVBG080N120SC1

제조업체 번호:

NVBG080N120SC1

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

데이터시트:

NVBG080N120SC1 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,973

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공장 리드 타임:: 13 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(800의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩16,556.4	₩16,556
	₩11,490.2	₩114,902
	₩9,709	₩970,900
	₩9,694.4	₩4,847,200
전체 릴(800의 배수로 주문)
	₩9,066.6	₩7,253,280

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	30 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	110 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.3 V
Qg - 게이트 전하:	56 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	179 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	11 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품 유형:	SiC MOSFETS
시리즈:	NVBG080N120SC1
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	21 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns

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문서 필터:

데이터시트

NVBG080N120SC1 데이터시트

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFET

onsemi M1 EliteSiC MOSFET은 1,200V 및 1,700V 정격 전압을 제공합니다. onsemi M1 MOSFET은 신뢰성과 효율이 요구되는 고전력 애플리케이션의 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. M1 EliteSiC MOSFET은 D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD 및 베어 다이를 포함한 다양한 패키지 옵션으로 제공됩니다.

게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.

NVBG080N120SC1 1,200V SiC MOSFET

onsemi NVBG080N120SC1 1,200V SiC MOSFET은 실리콘보다 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 이 MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 콤팩트한 칩 크기로 낮은 정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. onsemi NVBG080N120SC1 MOSFET은 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI(전자기 간섭) 및 감소된 시스템 크기가 특징입니다. 일반적으로 자동차 보드 내장형 충전기 및 EV/HEV용 자동차 DC/DC 컨버터에 사용됩니다.

1,200V EliteSiC(실리콘 카바이드) MOSFET

onsemi 1200V EliteSiC(실리콘 카바이드) MOSFET은 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 이 MOSFET는 낮은 온 저항을 제공하여 낮은 정전 용량과 게이트 전하를 보장합니다. 1200V EliteSiC MOSFET은 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 포함한 시스템 이점을 제공합니다. 이 MOSFET은 차단 전압, 고속 스위칭 및 낮은 정전 용량이 특징이며 -55°C~+175°C의 온도 범위에서 작동합니다. 1 200 V SiC MOSFET은 AEC-Q101 자동차 인증을 받았으며 RoHS 규격을 준수합니다. 이 MOSFET은 부스트 인버터, 충전소, DC-DC 인버터, DC-DC 컨버터, OBC(온보드 차저), 모터 제어, 산업용 전원 공급 장치 및 서버 전원 공급 장치에 적합합니다.