STH4N150-2AG

Name: STMicroelectronics STH4N150-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH4N150-2AG
Price: 8954 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STH4N150-2AG

제조업체 번호:

STH4N150-2AG

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package

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신제품:

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데이터시트:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	H2PAK-2
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.5 kV
Id - 연속 드레인 전류:	2.6 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	10 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5 V
Qg - 게이트 전하:	35.1 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	208 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	72 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	38 ns
표준 턴-온 지연 시간:	16 ns
단위 중량:	1.471 g

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문서 필터:

데이터시트

STH4N150-2AG 데이터시트 (PDF)

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규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

STH4N150-2AG N-채널 전력 MOSFET

STMicroelectronics STH4N150-2AG N채널 전력 MOSFET은 자동차 시장을 위해 고압 성능 및 뛰어난 내구성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET은 PowerMESH™ 기술을 기반으로 제작되었으며, 이 장치는 1,500V의 매우 높은 드레인-소스 전압 정격과 낮은 게이트 전하 및 우수한 애벌랜치 내성을 제공합니다. STH4N150-2AG MOSFET은 자동차용 등급이며, AEC-Q101 인증을 획득했으며, H2PAK-2 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 고전압, 자동차, 보조 및 스위칭 애플리케이션에 적합합니다.