NVHL075N065SC1

onsemi
863-NVHL075N065SC1
NVHL075N065SC1

제조업체:

설명:
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

데이터시트:
ECAD 모델:
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합계
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₩11,869.8 ₩118,698
₩11,607 ₩1,392,840

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
85 mOhms
- 5 V, + 18 V
4.3 V
61 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
EliteSiC
브랜드: onsemi
하강 시간: 8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 9 S
포장: Tube
제품: Mosfets
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 26 ns
시리즈: NVHL075N065SC1
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
기술: SiC
표준 턴-오프 지연 시간: 22 ns
표준 턴-온 지연 시간: 10 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVHL075N065SC1 SiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi NVHL075N065SC1 SIC (탄화 규소) MOSFET은 탁월한 특성을 가진 고성능 장치입니다. onsemi NVHL075N065SC1는 18V의 게이트-소스 전압(VGS)에서 57mΩ과 15V에서 75mΩ의 일반 RDS(온) 를 제공합니다. 이 장치는 초저게이트 전하(QG(총) = 61nC)과 저출력 정전용량(Coss = 107pF)이 특징으로 빠른 스위칭과 전력 손실 감소를 보장합니다.

M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 RDS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.

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