NTBG022N120M3S 1200V M3S 시리즈 SiC MOSFET

Onsemi  NTBG022N120M3S 1200V M3S 시리즈 SiC(탄화 규소) MOSFET은 빠른 스위칭 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있고 22mΩ 의 낮은 드레인 소스온 저항을 제공합니다. M3S 시리즈 SiC MOSFET은 18V 게이트 드라이브로 구동 시 최적의 성능을 제공하면서 15V 게이트 드라이브와도 잘 작동합니다. 이 장치는 네거티브 게이트 전압 드라이브와 안정적으로 작동하고 게이트의 스파이크를 끄는 평면 기술을 특징으로 합니다. 

결과: 4
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 29 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
데이터시트
827재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1.2 kV 30 Ohms EliteSiC
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
데이터시트
819재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 148 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
데이터시트
36재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 52 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 70 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 65 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
데이터시트
205재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC