IGBT 전력 모듈

Microchip IGBT 전력 모듈은 최적화된 스위칭 및 전도 손실 성능을 제공하는 다양한 트렌치 및 필드 스톱 생성 기능이 있는 전체 범위의 IGBT 전력 모듈입니다. 전원 모듈 부품 번호는 사용되는 IGBT 유형을 식별합니다. Trench5 IGBT 제품군은 Micochip의 IGBT 전력 모듈 제품을 보완하며 NPT IGBT를 위한 완벽한 교체 부품입니다. Microchip의 SiC 이산 및 모듈 제품은 20kHz 이상의 스위칭 주파수가 필요한 애플리케이션을 위한 대안 솔루션으로 간주될 수 있습니다.

결과: 162
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 패키지/케이스 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Microchip Technology APTGT300SK60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 7
배수: 7

IGBT Modules Single 600 V 1.4 V 430 A 500 nA 1.15 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT300TL60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules 600 V 1.5 V 400 A 800 nA 935 W SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT300TL65G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 42 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules 650 V 1.5 V 400 A 800 nA 935 W SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT30A170T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 16
배수: 16

IGBT Modules Dual 1.7 kV 2 V 45 A 600 nA 210 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT30H170T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3 비재고 리드 타임 24 주
최소: 11
배수: 11

IGBT Modules Full Bridge 1.7 kV 2 V 45 A 600 nA 210 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT30TL601G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 18
배수: 18

IGBT Modules 600 V 1.5 V 50 A 300 nA 90 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT30X60T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3 비재고 리드 타임 24 주
최소: 16
배수: 16

IGBT Modules 3-Phase 600 V 1.5 V 50 A 300 nA 90 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT35A120T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 Trench Field Stop 1200V 55A 208W 비재고 리드 타임 24 주
최소: 18
배수: 18

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 55 A 400 nA 208 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT35H120T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 14
배수: 14

IGBT Modules Full Bridge 1.2 kV 1.7 V 55 A 400 nA 208 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT35X120T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 11
배수: 11

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.7 V 55 A 400 nA 208 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT400A120D3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D3 비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 580 A 400 nA 2.1 kW D3-11 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT400A120G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 560 A 600 nA 1.785 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT400A60D3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D3 비재고 리드 타임 24 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Dual 600 V 1.5 V 500 A 400 nA 1.25 kW D3-11 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT400DA120G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 560 A 800 nA 1.785 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT400DA60D3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D3 비재고 리드 타임 24 주
최소: 8
배수: 8

IGBT Modules Single 600 V 1.5 V 500 A 400 nA 1.25 kW D3-11 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT400DU120G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 560 A 800 nA 1.785 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT400SK120G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 560 A 800 nA 1.785 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT400TL65G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3
배수: 3

IGBT Modules 650 V 1.5 V 500 A 1.2 uA 1.15 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT400U120D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4 비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 650 A 600 nA 1.785 kW D4-5 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT400U170D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4 비재고 리드 타임 24 주
최소: 4
배수: 4

IGBT Modules Single 1.7 kV 2 V 800 A 400 nA 2.08 kW D4-5 - 40 C + 125 C Bulk
Microchip Technology APTGT450A60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

IGBT Modules Dual 600 V 1.4 V 550 A 600 nA 1.75 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT450DA60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Single 600 V 1.4 V 550 A 600 nA 1.75 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT450SK60G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 비재고 리드 타임 24 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Single 600 V 1.4 V 550 A 600 nA 1.75 kW SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50A170TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4 비재고 리드 타임 24 주
최소: 8
배수: 8

IGBT Modules Dual 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50DA120TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4 비재고 리드 타임 24 주
최소: 14
배수: 14

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP4 - 40 C + 100 C Tube