IGBT 전력 모듈

Microchip IGBT 전력 모듈은 최적화된 스위칭 및 전도 손실 성능을 제공하는 다양한 트렌치 및 필드 스톱 생성 기능이 있는 전체 범위의 IGBT 전력 모듈입니다. 전원 모듈 부품 번호는 사용되는 IGBT 유형을 식별합니다. Trench5 IGBT 제품군은 Micochip의 IGBT 전력 모듈 제품을 보완하며 NPT IGBT를 위한 완벽한 교체 부품입니다. Microchip의 SiC 이산 및 모듈 제품은 20kHz 이상의 스위칭 주파수가 필요한 애플리케이션을 위한 대안 솔루션으로 간주될 수 있습니다.

결과: 162
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 패키지/케이스 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP-3 - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology APTGT50A120T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 25재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 75 A 400 nA 277 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT50H60T3G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 80 A 600 nA 176 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT75DA60T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 42재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 600 V 1.5 V 100 A 600 nA 250 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT30H60T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 13재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 50 A 300 nA 90 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT200A120G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6C 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.7 V 280 A 500 nA 890 W SP6 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Full Bridge 600 V 1.5 V 150 A 400 nA 340 W SP-3 - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 14
배수: 14

IGBT Modules SP1-12 Tube

Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Half Bridge 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 17
배수: 17

IGBT Modules Single 1.7 kV 2 V 75 A 400 nA 312 W SP-1 - 40 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 19
배수: 19

IGBT Modules Half Bridge 600 V 1.5 V 100 A 600 nA 250 W SP-1 - 40 C + 175 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Modules Dual 650 V 1.65 V 100 A 240 nA 250 W SP1 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 18
배수: 18

IGBT Modules Single 650 V 1.65 V 100 A 240 nA 250 W SP1 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Dual 650 V 1.65 V 100 A 240 nA 250 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 7
배수: 7

IGBT Modules Quad 650 V 1.65 V 100 A 240 nA 250 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 18
배수: 18

IGBT Modules Single 650 V 1.65 V 100 A 240 nA 250 W SP1 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP6P 비재고 리드 타임 24 주
최소: 5
배수: 5

IGBT Modules Hex 650 V 1.65 V 150 A 360 nA 365 W SP6-P - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 7
배수: 7

IGBT Modules Dual 650 V 1.65 V 200 A 480 nA 483 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Single 650 V 1.65 V 200 A 480 nA 483 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Single 650 V 1.65 V 200 A 480 nA 483 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3F 비재고 리드 타임 24 주
최소: 13
배수: 13

IGBT Modules Hex 650 V 1.65 V 50 A 120 nA 125 W SP3F - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology APTGT100A120T3AG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP3 비재고 리드 타임 24 주
최소: 7
배수: 7

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 140 A 400 nA 595 W SP3-32 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT100A120TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4 비재고 리드 타임 24 주
최소: 7
배수: 7

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 140 A 400 nA 480 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT100A170TG
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP4 비재고 리드 타임 24 주
최소: 8
배수: 8

IGBT Modules Dual 1.7 kV 2 V 150 A 400 nA 560 W SP4 - 40 C + 100 C Tube
Microchip Technology APTGT100A60T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1 비재고 리드 타임 24 주
최소: 17
배수: 17

IGBT Modules Half Bridge 600 V 1.5 V 150 A 400 nA 340 W SP1-12 - 40 C + 100 C Tube