CoolSiC™ 자동차용 1200V G1 SiC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 1200V G1 SiC 트렌치 MOSFET은 향상된 전력 밀도, 더 높은 효율 및 개선된 신뢰성을 제공합니다. 이 세분화된 포트폴리오는 TO-247-3핀, TO-247-4핀, D2PAK-7핀 패키지로 제공되는 1200V SiC MOSFET이 특징이며, RDS(on) 의 범위는 8.7~160mΩ이고 ID는 +25°C에서 최대 17~205A입니다. 높은 전력 밀도, 뛰어난 효율성, 양방향 충전 기능 및 시스템 비용의 대폭 절감 덕분에 Infineon Technologies 1200V 자동차용 CoolSiC™ MOSFET 모듈은 온보드 충전기 및 DC-DC 애플리케이션에 이상적인 선택입니다. TO- 및 SMD 구성 요소는 최적화된 스위칭 성능을 위해 켈빈 소스 핀과 함께 제공됩니다.

트랜지스터의 유형

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결과: 35
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 799재고 상태
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 192재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 1,356재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 837재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 2,616재고 상태
최소: 1
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 3,495재고 상태
최소: 1
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 2,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 2,720재고 상태
최소: 1
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 829재고 상태
최소: 1
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 178재고 상태
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 195재고 상태
1,500예상 2026-04-09
최소: 1
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: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 693재고 상태
최소: 1
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: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 909재고 상태
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: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 838재고 상태
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MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 403재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 188재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 276재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 924재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 269재고 상태
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 12재고 상태
2,000예상 2026-02-23
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: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 56재고 상태
960주문 중
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 151재고 상태
최소: 1
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 177재고 상태
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm 120재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel