CoolSiC™ 자동차용 1200V G1 SiC 트렌치 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 1200V G1 SiC 트렌치 MOSFET는 전력 밀도가 높고, 효율성이 뛰어나며, 신뢰도가 향상되었습니다. 세분화된 포트폴리오는 TO-247-3핀, TO-247-4핀 및 D2PAK-7핀 패키지로 제공되는 1200V SiC MOSFET, 8.7mΩ ~ 160mΩ의 RDS(on) 범위와 +25°C에서 최대 17A ~ 205A의 ID를 특징으로 합니다. 고출력 밀도, 뛰어난 효율성, 양방향 충전 능력 및 시스템 비용의 상당한 절감으로 인해 Infineon Technologies 1200V 자동차용 CoolSiC™ MOSFET 모듈은 온보드 충전기 및 DC-DC 애플리케이션에 이상적인 선택입니다. TO- 및 SMD 구성 요소는 최적화된 스위칭 성능을 위해 켈빈 소스 핀과 함께 제공됩니다.

트랜지스터의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 30
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 784재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 735재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 1,158재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 2,346재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 1,080재고 상태
750예상 2027-03-18
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 484재고 상태
750예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 1,478재고 상태
750예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 1,780재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 27재고 상태
2,250주문 중
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 158재고 상태
750예상 2027-01-28
최소: 1
배수: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 465재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 805재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 1,899재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 170재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 467재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 147재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 131재고 상태
240예상 2026-10-08
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 214재고 상태
240주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE
2,000예상 2026-12-17
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel