신호 인덕터

TDK 신호 인덕터는 최첨단 다층 처리 및 권선 기술을 사용하여 제조됩니다. TDK의 권선 기술의 경우 투과율이 높은 페라이트 입자와 함께 고도로 효과적인 폐쇄 자기 회로를 사용하여 더 낮은 Rdc 값과 감소된 에너지 소비량을 실현할 수 있습니다. TDK 신호 인덕터는 모바일 장치 및 가전 제품에서 다양한 유형의 자동차 장비 및 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다.

인턱터, 초크 및 코일 유형

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결과: 648
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 인덕턴스 공차 최대 DC 전류 종단 스타일 최고 작동온도 자격
TDK 파워 인덕터 - SMD 4.7uH _ 40 +150 C AEC-Q200 3,294재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 6,000

4.7 uH 20 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD .1 UH 5% 75,733재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

100 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 22uH 2.8ohms 160mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 53,584재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

22 uH 10 % 160 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 47uH 2.132ohms 180mA Wound Ferrite 173,635재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

47 uH 10 % 180 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 0.92ohms 390mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 25,454재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

6.8 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 260mohms 620mA Wound Ferrite 23,044재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 620 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 0.57ohms 500mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 17,143재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 0.2ohms 900mA 3.2x2.5mm AEC-Q200 95,579재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 620 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 1.1ohms 360mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 19,223재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 210 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 10uH 504mohms 600mA 125C Wound Ferrite 71,591재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

10 uH 10 % 450 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.47uH 5% AEC-Q200 17,357재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

470 nH 5 % 120 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 470nH 500mohms 200mA +/-5% Fer AEC-Q200 28,779재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 200mA, 0.1 H, 350mO 34,354재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

100 nH 10 % 200 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD .47 UH 5% 113,353재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

470 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 4.7uH 0.8ohms 285mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 1,490재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 180mA, 0.15 H, 630mO 4,897재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

150 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0.47uH 0.038ohm 2.0A 3.2x2.5mm AEC-Q200 5,138재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

470 nH 20 % 2 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 33uH 4.2ohms 120mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 2,646재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

33 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 6.8uH 1.0ohms 275mA 2.5x2.0mm AEC-Q200 725재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
6.8 uH 20 % 275 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.33uH 5% AEC-Q200 12,010재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

330 nH 5 % 140 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 0.10uH 5% AEC-Q200 13,836재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

100 nH 5 % 180 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 1.0uH 5% AEC-Q200 12,311재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 30mA, 1.8 H, 1.05O 10,163재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

1.8 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RF 인덕터 - SMD 0402 2.2uH 5% AEC-Q200 12,109재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

2.2 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RF 인덕터 - SMD 1.0uH 0.14ohms 1A 2.5x2.0mm AEC-Q200 3,720재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000
1 uH 20 % 475 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200