GP2T080A120U

Name: SemiQ GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120U
Price: 10526 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

148-GP2T080A120U

제조업체 번호:

GP2T080A120U

제조업체:

SemiQ

설명:

SiC MOSFET

데이터시트:

GP2T080A120U 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩6,073.6	₩60,736
	₩5,080.8	₩609,696
	₩4,350.8	₩2,218,908

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Rds On - 드레인 소스 저항:	80 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.8 V
Qg - 게이트 전하:	58 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	188 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	SemiQ
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	6 ns
시리즈:	GP2T080A120U
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	16 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns

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문서 필터:

데이터시트

GP2T080A120U 데이터시트 (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.