CoolMOS™ 전력 트랜지스터

Infineon CoolMOS™ 전력 트랜지스터는 혁신적인 CoolMOS™ 기술이 적용된 고압 전력 MOSFET 용 제품으로써 SJ(초접합) 원리에 근거하여 생산되며 Infineon Technologies가 이 분야의 선구자입니다. CoolMOS™ C6 및 E6 시리즈는 SJ MOSFET 선두 공급업체로서의 경험과 동급 최강 기술혁신의 결정체입니다. 그 결과 이 소자는 고속 스위칭 SJ MOSFET의 이점을 모두 제공하면서 사용 편의성도 뛰어납니다.  스위칭 손실과 전도 손실이 극히 낮아 스위칭 애플리케이션의 효율성을 높이면서 간결한 디자인에 무게 및 발열은 감소했습니다.
상세 정보

Infineon Technologies가 확대한 CoolMOS™ 전력 트랜지스터 제품은 혁신적 CoolMOS™ 기술이 적용된 고압 전력 MOSFET 용 제품으로써 SJ(초접합) 원리에 근거하여 생산됩니다. 이 소자는 고속 스위칭  SJ MOSFET의 이점과 극도로 빠르고 튼튼한 바디 다이오드를 모두 제공합니다. Iineon Technologies CoolMOS® 전력 트랜지스터는 PC 실버박스, LCD TV, 조명, 서버, 통신 애플리케이션 용으로 생산되는 공진 스위칭 PWM 단계에 특히 적합합니다.
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결과: 23
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,409재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
3,132재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
5,847재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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12,010재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
1,380재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,722재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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14재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
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884재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2,804재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,418재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7
데이터시트
2,739재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
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236재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
394재고 상태
2,160주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3
데이터시트
793재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,451재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
데이터시트
1,795재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
데이터시트
377재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY
데이터시트
765재고 상태
1,000예상 2026-06-17
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
데이터시트
2,080재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
386재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
277재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,000예상 2026-07-21
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
데이터시트
500예상 2026-05-28
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube