브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

IPBE65R230CFD7AATMA1

Name: Infineon IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPBE65R230CFD7AA
Price: 5535 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

726-IPBE65R230CFD7AA

제조업체 번호:

IPBE65R230CFD7AATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

데이터시트:

IPBE65R230CFD7AATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Infineon Technologies IPBE65R230CFD7AATMA1에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 784

재고:: 784 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩5,535.2	₩5,535
	₩3,626	₩36,260
	₩2,545.6	₩254,560
	₩2,249.6	₩1,124,800
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩2,101.6	₩2,101,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7-11
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	11 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	439 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	23 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	63 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	CoolMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	MY
하강 시간:	5 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	3 ns
시리즈:	CoolMOS CFD7A
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	56 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13 ns
부품번호 별칭:	IPBE65R230CFD7A SP005344079

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPBE65R230CFD7AATMA1 데이터시트 (PDF)

Models

IPBE65R230CFD7AATMA1

Product Catalogs

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ 전력 MOSFET

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ 전력 MOSFET은 보드 내장형 충전기, HV-LV DC-DC 변환기 및 보조 전원 공급 장치와 같은 전기차 애플리케이션에 사용됩니다. 향상된 우주 방사 견고성 덕분에 CoolMOS CFD7A SJ 전력 MOSFET을 사용하면 이전 세대 및 기타 시장 제품과 동일한 신뢰도로 더 높은 배터리 전압을 인가할 수 있습니다. CoolMOS CFD7A SJ 전력 MOSFET은 하드 및 공진 스위칭 토폴로지에서, 특히 경부하 조건에서 고효율을 보장합니다 이전 세대의 주파수에 비해 게이트 손실 레벨에서 더 높은 스위칭 주파수에 도달합니다. 시스템 중량과 점유 공간이 작아져 더욱 콤팩트한 설계가 가능합니다.

CoolMOS™ 전력 트랜지스터

Infineon CoolMOS™ 전력 트랜지스터는 혁신적인 CoolMOS™ 기술이 적용된 고압 전력 MOSFET 용 제품으로써 SJ(초접합) 원리에 근거하여 생산되며 Infineon Technologies가 이 분야의 선구자입니다. CoolMOS™ C6 및 E6 시리즈는 SJ MOSFET 선두 공급업체로서의 경험과 동급 최강 기술혁신의 결정체입니다. 그 결과 이 소자는 고속 스위칭 SJ MOSFET의 이점을 모두 제공하면서 사용 편의성도 뛰어납니다. 스위칭 손실과 전도 손실이 극히 낮아 스위칭 애플리케이션의 효율성을 높이면서 간결한 디자인에 무게 및 발열은 감소했습니다.
상세 정보

Infineon Technologies가 확대한 CoolMOS™ 전력 트랜지스터 제품은 혁신적 CoolMOS™ 기술이 적용된 고압 전력 MOSFET 용 제품으로써 SJ(초접합) 원리에 근거하여 생산됩니다. 이 소자는 고속 스위칭 SJ MOSFET의 이점과 극도로 빠르고 튼튼한 바디 다이오드를 모두 제공합니다. Iineon Technologies CoolMOS® 전력 트랜지스터는 PC 실버박스, LCD TV, 조명, 서버, 통신 애플리케이션 용으로 생산되는 공진 스위칭 PWM 단계에 특히 적합합니다.
CoolMOS 전체 시리즈 보기