SICW0x 1200V SiC N-채널 MOSFET

MCC (Micro Commercial Components) SICW0x 1 200 V SiC N- 채널 MOSFET은 다양한 TO-247-4, TO-247-4L 및 TO-247AB 패키지에서 성능을 증폭합니다. 이 MOSFET은 낮은 게이트 전하, 설계 유연성 및 신뢰성과 함께 높은 스위칭 속도가 특징 입니다. SICW0x 1200V SiC MOSFET은 21mΩ ~ 120mΩ 의 광범위한 표준 온저항 범위와 안정적 인 성능을 포함합니다. 이 SiC MOSFET은 우수한 열 특성과 고속 진성 다이오드를 제공하여 까다로운 조건에서 부드럽고 효율적인 작동을 보장합니다. SICW0x SiC MOSFET 는 3핀과 4핀(Kelvin 소스) 구성으로 제공됩니다. 일반적으로 모터 드라이브, 용접 장비, 전원장치, 재생 에너지 시스템, 충전 인프라, 클라우드 시스템, UPS (무정전 전력 공급)에 사용됩니다.

결과: 10
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
357재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
359재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
340재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
360재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,800
배수: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4L
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,800
배수: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,800
배수: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,800
배수: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247AB
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,800
배수: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,800
배수: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement