SCT4018KRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KRC15
Price: 51771 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

755-SCT4018KRC15

제조업체 번호:

SCT4018KRC15

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

SiC MOSFET TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

데이터시트:

SCT4018KRC15 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	81 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	23.4 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
Qg - 게이트 전하:	170 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	312 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	22 S
포장:	Tube
제품:	MOSFET's
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	21 ns
팩토리 팩 수량:	450
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	50 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13 ns
부품번호 별칭:	SCT4018KR

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SCT4018KR N채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N채널 SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 까다로운 애플리케이션에서 고효율 전력 변환을 위해 최적화된 견고한 장치입니다. 1,200V의 드레인-소스 전압 정격과 81A의 연속 드레인 전류(+25°C 기준)를 갖춘 ROHM SCT4018KR은 고전압 환경에서 탁월한 성능을 제공합니다. 이 장치는 18mΩ의 낮은 표준 온 상태 저항과 빠른 스위칭 속도를 지원하여 스위칭 손실을 크게 줄이고 전체 시스템 효율성을 향상시킵니다. TO-247-4L 패키지에 탑재된 SCT4018KR은 산업용 전원장치, 태양광 인버터 및 모터 드라이브에 사용하기에 적합합니다. SiC 기술의 장점을 활용하는 SCT4018KR MOSFET은 우수한 열 전도성, 고온 작동 및 향상된 신뢰도를 제공하여 소형 고성능 전원 시스템에 이상적입니다.

4세대 N채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor 4세대 N-채널 SiC(실리콘 카바이드) 전력 MOSFET은 단락 저항 시간을 개선하여 낮은 온 저항을 제공합니다. 4세대 SiC MOSFET은 병렬 연결이 용이하고 구동이 간단합니다. 이 MOSFET은 빠른 스위칭 속도/역방향 회복, 낮은 스위칭 손실, +175°C의 최대 작동 온도가 특징입니다. ROHM의 4세대 N-채널 SSiC 전력 MOSFET은 장치의 전력 절감에 기여하는 15V 게이트-소스 전압을 지원합니다.

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.