UJ4C/SC 패키지로 제공되는 750 V D2PAK-7L SiC FET

D2PAK-7L 패키지로 제공되는 onsemi 750 VUJ4C/SCSiC FET는 9mΩ~60mΩ의 다양한 온저항 옵션으로 제공됩니다. 이 디바이스는 노멀 온 SiC JFET을 Si MOSFET과 공동 패키징하여 노멀 오프 SiC FET을 생성하는 고유한 캐스코드 SiC FET 기술을 활용하여 우수한 RDS x 면적 공헌도를 제공하므로 작은 다이에서 전도 손실이 적습니다. D2PAK-7L 패키지는 컴팩트한 내부 연결 루프에서 인덕턴스가 감소하여 포함된 켈빈 소스 연결과 함께 스위칭 손실이 적어 더 높은 주파수 작동과 시스템 전력 밀도 향상을 가능하게 합니다. 5개의 병렬 걸윙 소스 연결부를 통해 낮은 인덕턴스와 높은 전류 사용이 가능합니다. 은소결 다이 부착은 낮은 열 저항을 제공하여 액체 냉각을 사용하는 표준 PCB 및 IMS 기판에서 열을 최대한 추출할 수 있습니다.

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
688재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
1,247재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
812재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
490재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
764재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
904재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7
데이터시트
347재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET