고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드

Vishay Semiconductors의 고전력 탄화 규소(SiC) 쇼트키 다이오드는 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한 효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계된 첨단 고성능 정류기입니다.  넓은 밴드갭 SiC기술을기반으로 제작된 이Vishay 다이오드는 역회복 전하가 거의 0에 가깝고, 매우 빠른 스위칭 속도와 온도 변화에 영향을 받지 않는성능을 제공하여 차세대주파수전력 변환 시스템에 이상적입니다.

결과: 45
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 구성 If - 순방향 전류 Vrrm - 반복 역 전압 Vf - 순방향 전압 If - 순방향 서지 전류 Ir - 역 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L 504재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L 522재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L 460재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L 500재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L 955재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L 500재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30E3P07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L 775재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L 1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L 500재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2473L 475재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
500예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
800예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
1,000예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
490예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2472L
500예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
800예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
800예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
1,000예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SicG4TO-2202L
1,000예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12THM3 Tube
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
800예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape