고전력 탄화 규소 쇼트키 다이오드

Vishay Semiconductors의 고전력 탄화 규소(SiC) 쇼트키 다이오드는 까다로운 전력 전자 애플리케이션에서 탁월한 효율성, 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계된 첨단 고성능 정류기입니다.  넓은 밴드갭 SiC기술을기반으로 제작된 이Vishay 다이오드는 역회복 전하가 거의 0에 가깝고, 매우 빠른 스위칭 속도와 온도 변화에 영향을 받지 않는성능을 제공하여 차세대주파수전력 변환 시스템에 이상적입니다.

결과: 16
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
구성
If - 순방향 전류
Vrrm - 반복 역 전압
Vf - 순방향 전압
If - 순방향 서지 전류
Ir - 역 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
780예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors SiC 쇼트키 다이오드 SiCG4D2PAK2L
데이터시트
800예상 2026-04-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3