결과: 8
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
데이터시트
1,665재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 50

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
데이터시트
277재고 상태
720주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
데이터시트
396재고 상태
480예상 2027-04-29
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
데이터시트
483재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
데이터시트
826재고 상태
240예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1
최대: 70

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
데이터시트
776재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
데이터시트
1,992주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
데이터시트
480주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC