MXP120 MaxSiC™ 1200V N채널 MOSFET

Vishay 반도체 MXP120 MaxSiC™ 1200V N채널 MOSFET은 1200V 드레인-소스 전압, 빠른 전환 속도 및 3μs 단락 내성 시간을 특징으로 합니다. 이 MOSFET은 또한 56W ~ 288W (TC= 25 °C)의 최대 전력 손실과 10.5A ~ 53A (TC= 25 °C)의 연속 드레인 전류를 특징으로 합니다. Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N채널 MOSFET은 할로겐 프리 제품이며 TO-247AD 3L, TO-247AD 4L 및 TO-263 7L 패키지로 제공됩니다. 이 MOSFET은 충전기, 보조 모터 드라이브 및 DC-DC 컨버터에 사용됩니다.

결과: 17
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800예상 2026-09-30
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2027-01-13
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-09-30
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-4L N-Channel 1 Channel 1200 V 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1200 V 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1200 V 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1
SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1200 V 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1200 V 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247AD-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600예상 2026-12-18
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247AD-3L N-Channel 1 Channel 1200 V 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement