NTHL060N065SC1

onsemi
863-NTHL060N065SC1
NTHL060N065SC1

제조업체:

설명:
SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩13,782.4 ₩13,782
₩9,344 ₩93,440
₩8,307.4 ₩830,740
₩8,292.8 ₩3,731,760
₩7,986.2 ₩7,187,580
2,700 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
47 A
70 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
EliteSiC
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 12 S
포장: Tube
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 32 ns
시리즈: NTHL060N065SC1
팩토리 팩 수량: 450
하위 범주: Transistors
기술: SiC
표준 턴-오프 지연 시간: 23 ns
표준 턴-온 지연 시간: 12 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 RDS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.

650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

NTHL060N065SC1 SiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi  NTHL060N065SC1 SiC(탄화 규소) MOSFET은 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰도를 제공합니다. MOSFET은 온 상태 저항이 낮고 콤팩트한 칩 크기로 낮은 정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. 따라서 시스템의 이점으로는 최고 효율, 신속한 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.

열 펌프

열 펌프는 안전하고 지속 가능한 난방을 위한 세계적인 변화의 기초 역할을 하며 낮은 방출 전기를 활용하여 안정적인 따뜻함을 제공합니다. 주요 기능은 난방이지만 혁신적인 역방향 사이클 모델은 냉각 기능도 제공합니다. 또한, 폐열을 효율적으로 회수하고 온도를 실제 수준으로 높여 이 열 펌프는 에너지 절약에 대한 엄청난 잠재력을 가지고 있습니다. 기업들이 저탄소 배출 미래로 전환함에 따라 보다 효율적인 전력 반도체에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 이를 추구하려면 비용, 설치 공간 및 효율성의 균형을 맞추는 것이 가장 중요합니다. onsemi IPM(지능형 전력 모듈)은 열 펌프 시장 에서 주목할 만한 솔루션으로 나타나며 콤팩트한 설계, 고전력 밀도 및 고급 제어 기능을 제공합니다.

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