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NTH4L070N120M3S

Name: onsemi NTH4L070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L070N120M3S
Price: 15912 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NTH4L070N120M3S

제조업체 번호:

NTH4L070N120M3S

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3

데이터시트:

NTH4L070N120M3S 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	37 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	91 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.4 V
Qg - 게이트 전하:	49 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	252 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	9 S
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	12 ns
시리즈:	NTH4L070N120M3S
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	20 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTH4L070N120M3S 데이터시트

PCN

규정 준수 코드

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

원산지 분류

COO(원산지):: 중국
어셈블리 원산지:: 중국
COD(확산 공정 국가):: 대한민국

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

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