SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FETs

onsemi UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET는 업계 최고의 성능 지수를 제공하는 고성능 시리즈입니다. 시리즈입니다. UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC FET는 EV용 온보드 충전기, 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원 공급 장치, 재생 에너지, 에너지 저장 장치, 용접기, UPS 및 유도 가열 애플리케이션의 메인스트림 800V 버스 아키텍처에 이상적입니다. 23mΩ ~ 70mΩ 옵션으로 제공되는 Gen 4 시리즈는 표준 게이트 드라이브 SiC 장치를 생산하기 위해 캐스코드에 최적화된 Si-MOSFET과 고성능 SiC JFET을 공동 패키징하는 고유한 캐스코드 구성을 기반으로 합니다. 이러한 특징 덕분에 게이트 드라이브 전압을 변경하지 않고 유연하게 설계할 수 있으며 Si IGBT, Si FET, SiC FET 또는 Si 초접합 소자를 쉽게 대체할 수 있습니다.

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결과: 11

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Id - 연속 드레인 전류

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부품 번호

SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4

UF4SC120023K4S
onsemi
1: ₩30,572.4
768재고 상태

제조업체 부품 번호
UF4SC120023K4S

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431-UF4SC120023K4S

onsemi

SiC MOSFET 1200V/23MOSICFETG4TO247-4

onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해

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768재고 상태

₩30,572.4

₩21,505.8

₩21,491.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

53 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3

UF4C120053K3S
onsemi
1: ₩22,075.2
678재고 상태

제조업체 부품 번호
UF4C120053K3S

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onsemi

SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-3

onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해

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678재고 상태

₩22,075.2

₩13,548.8

₩11,519.4

₩11,504.8

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

67 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

263 W

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7

UF4C120053B7S
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1: ₩20,805
747재고 상태
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제조업체 부품 번호
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772-UF4C120053B7S

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SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO263-7

onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해

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컷 테이프

₩20,805

₩15,330

₩13,840.8

릴

₩12,921

최소: 1
배수: 1

릴: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

53 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7

UF4C120070B7S
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1: ₩17,972.6
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SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO263-7

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513재고 상태

컷 테이프

₩17,972.6

₩13,183.8

₩11,519.4

릴

₩10,745.6

최소: 1
배수: 1

릴: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

25.7 A

72 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO263-7

UF4SC120030B7S
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1: ₩29,229.2
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컷 테이프

₩29,229.2

₩25,141.2

릴

₩19,374.2

최소: 1
배수: 1

릴: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

39 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3

UF4C120070K3S
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1: ₩19,199
674재고 상태

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SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-3

onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해

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674재고 상태

₩19,199

₩11,636.2

₩9,606.8

₩9,592.2

최소: 1
배수: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27.5 A

91 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4

UF4C120070K4S
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1: ₩19,710
416재고 상태

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SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG4TO247-4

onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해

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416재고 상태

₩19,710

₩11,972

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배수: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

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27.5 A

91 mOhms

- 20 V, + 20 V

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+ 175 C

217 W

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4

UF4C120053K4S
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1: ₩25,141.2
81재고 상태
600예상 2026-07-20

제조업체 부품 번호
UF4C120053K4S

Mouser 부품 번호
431-UF4C120053K4S

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SiC MOSFET 1200V/53MOSICFETG4TO247-4

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81재고 상태

600예상 2026-07-20

₩25,141.2

₩15,592.8

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Through Hole

TO-247-4

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1 Channel

1.2 kV

34 A

67 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

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263 W

SiC FET

SiC MOSFET UF4C120053B7S

UF4C120053B7SSR
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UF4C120053B7SSR

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SiC MOSFET UF4C120053B7S

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보기

최소: 1
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SMD/SMT

D2PAK-7

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1 Channel

1.2 kV

34 A

53 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC FET

SiC MOSFET UF4C120070B7S

UF4C120070B7SSR
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UF4C120070B7SSR

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772-UF4C120070B7SSR

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SiC MOSFET UF4C120070B7S

onsemi uf4csc 1200v gen4 sic fets 에 대해

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D2PAK-7

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1 Channel

1.2 kV

25.7 A

72 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

SiC FET

SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4

UF4SC120030K4S
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1: ₩33,375.6
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UF4SC120030K4S

Mouser 부품 번호
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SiC MOSFET 1200V/30MOSICFETG4TO247-4

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₩33,375.6

₩26,791

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배수: 1

Through Hole

TO-247-4

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1 Channel

1.2 kV

53 A

39 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

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SiC FET

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