EconoDUAL™ 3 Econo 전력 모듈

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 Econo 전력 모듈은 600V/650V/1200V 및 1700V에서 100~600A의 전류 범위를 지원합니다. EconoDUAL 3은 우수한 기계적 견고성, 전력 사이클링 기능, PressFit 핀 옵션이 특징입니다. TIM의 가용성 덕분에 드라이브, CAV, 풍력 발전용 터빈, 태양열 및 하이브리드 차량에 안정적이고 비용 효율적으로 사용할 수 있습니다. EconoDUAL™ 3 모듈은 효율적인 인버터 설계를 위해 3-레벨, 하프 브리지, H-브리지 및 초퍼 토폴로지로 제공됩니다.

이산 반도체의 유형

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결과: 57
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Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT 1700V 450A
20예상 2026-02-13
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module
20예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1
없음
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 1.2KV 225A 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount Econo D
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT 1700V 225A 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si Screw Mount Module
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 225 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 300 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 225 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Press Fit 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 225 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount Module
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 225 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 225 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 225 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 650 V, 300 A dual IGBT module 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 300 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 300 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 300 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 450 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 450 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 600 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 750 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 750 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si Press Fit 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 450 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 600 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies F4100R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 100 A fourpack IGBT module 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies FF450R17ME4P_B11
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700 V, 450 A dual IGBT module 비재고 리드 타임 14 주
최소: 6
배수: 6

IGBT Modules Si