OptiMOS™ 8 전력 MOSFET

Infineon Technologies의 OptiMOS™ 8 전력 MOSFET은 매우 낮은 온저항 [RDS(ON)] 을 특징으로 하는 N-채널 (N-channel), 노멀 레벨 (normal level) 80V (ISC016N08NM8 및 ISC016N08NM8SC) 또는 100V (ISC019N10NM8SC) MOSFET입니다. ISC016N08NM8SC 및 ISC019N10NM8SC은 양면 냉각 패키지(WSON-8)로 제공되는 반면, ISC016N08NM8은 표준 TDSON-8 패키지로 제공됩니다. 각 패키지는 우수한 열 저항을 제공하고 100% 애벌랜치 테스트를 거친 제품입니다. Infineon Technologies OPTIMOS™ 8 전력 MOSFET은 소프트 복구 다이오드가 특징이며 무연, 무할로겐이며 RoHS 규격을 준수 합니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
데이터시트
220재고 상태
5,000예상 2027-06-10
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.33 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 59 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
데이터시트
700재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 176 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
데이터시트
350재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
데이터시트
497재고 상태
5,000예상 2027-05-31
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
데이터시트
1재고 상태
4,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 484 A 0.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
데이터시트
15,400주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
데이터시트
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 408 A 0.94 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
데이터시트
4,000예상 2026-10-22
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
데이터시트
942예상 2026-06-30
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape