ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 9531 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

726-ISC016N08NM8SCAT

제조업체 번호:

ISC016N08NM8SCATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

ISC016N08NM8SCATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩3,685.2	₩1,842,600

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PG-WSON-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	269 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.54 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.5 V
Qg - 게이트 전하:	76 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	263 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	Not Available
하강 시간:	7.2 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	55 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6.1 ns
시리즈:	OptiMOS 8
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	28 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14 ns
부품번호 별칭:	ISC016N08NM8SC SP006195339