DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

결과: 113
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A
데이터시트
150재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 327 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
데이터시트
53재고 상태
250예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 12A 500V 45W 1350pF 0.52
데이터시트
251재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
데이터시트
94재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
데이터시트
78재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
데이터시트
128재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
데이터시트
31재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 15.8A 40W FET 600V 1350pF 43nC
데이터시트
156재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 600V 15.8A 40W DTMOSIV 1350pF 38nC
데이터시트
121재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si N-Channel 1 Channel DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
데이터시트
79재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
데이터시트
19재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
데이터시트
7재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 45W
데이터시트
254재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
데이터시트
50재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
데이터시트
150재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18.5 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr100ns 0.25ohm DTMOS
데이터시트
92재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-220 PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
데이터시트
100재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
데이터시트
68재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
데이터시트
50재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tray

Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
데이터시트
98재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
데이터시트
58재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
데이터시트
131재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET TO-247(OS) PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
데이터시트
60재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
데이터시트
43재고 상태
50예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
데이터시트
34재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube